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QT-8400 功率器件多Site測試系統(tǒng)
探索第三代半導體的無限可能

測試主機

GaN Test Kit

Power Device Test Kit

QT-8400 由測試主機與測試站 Test Kit 組成，
其中 Test Kit 分為兩種：Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit
可根據需求進行選擇

  • Power Device Test Kit

    面向 MOSFET/SIC、二極管、三極管等 CP 測試需求的 Power Device Test Kit.

  • GaN Test Kit

    面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度
創(chuàng)新標識設計
站坐快速切換
觸動人心的
用戶體驗
8400機箱從人體工學設計出發(fā)針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環(huán)境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態(tài)下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據個人身高差異自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

創(chuàng)新標識設計
站坐快速切換
觸動人心的
用戶體驗
8400機箱從人體工學設計出發(fā)針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環(huán)境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態(tài)下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據個人身高差異自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度
并行測試，效率倍增
支持 2/4/8/16 Site并行測試，滿足客戶對更高測試效率的需求。
測試需求，全方位覆蓋
QT-8400 整機提供 20A/100A、1KV/2KV 的多site并測方案，支持擴展高壓/直流模組，最高可達 8KV, 2000A，支持擴展雪崩、RGCG，動態(tài) RDson 等動態(tài)參數測試模組，滿足第三代半導體的測試需求。

QT-8400 GaN

QT-8400 D

測試范圍

專用于氮化鎵動靜態(tài)電參數測試

測試范圍

專用于 MOSFET/SIC 、二極管、三極管、IGBT等 CP測試。

參數指標

懸浮 V/I 源
電壓 1KV/2KV
20A/100A；

參數指標

懸浮 V/I 源
電壓1KV/2KV/3KV
20A/100A/200A

并行測試數

2/4/8/16 Site

并行測試數

2/4/8/16 Site

可擴展動態(tài)模組

LCR測試模組（CG）
動態(tài) RDSON 模組（支持硬切和軟切）

可擴展動態(tài)模組

雪崩測試模組（UIS、EAS）
LCR測試模組（RG、CG）

可擴展高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

可擴展高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

精準測量

GaN Test Kit內置精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。

精準測量

Power Device Test Kit內置精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。

板卡資源靈活搭配
我們的設備采用可插拔式板卡架構，允許您根據需求靈活搭配板卡，從而實現精準把控測試成本。
功能全面，滿足各類需求
測試主機板卡均為四象限V/I源，配備AWG和示波器，功能全面，滿足如 I-V 曲線等各類掃描測試需求。

內置示波器圖

AWG編輯器
PTS OS 直觀易用，
專為測試&生產而設計
我們對 QT-8400 PTS OS 軟件界面全面優(yōu)化，以提升實用性、美觀性和易用性。極大提高測試開發(fā)、生產以及調試校準效率，使用戶輕松上手高效操作。

* 已申請專利